[发明专利]表面特性优良的电子材料用的铜合金及其制法无效
申请号: | 00135983.5 | 申请日: | 2000-12-15 |
公开(公告)号: | CN1301026A | 公开(公告)日: | 2001-06-27 |
发明(设计)人: | 牧哲生 | 申请(专利权)人: | 日矿金属株式会社 |
主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;C22C9/00;C22C1/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 魏金玺,杨丽琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及表面特性优良的电子材料用的铜合金及其制法。就具有足够强度和导电性的Cu-Ni-Si系合金而言,本发明提供具有良好软钎焊性和可镀性、更且,应力弛豫特性也优良的电子材料用铜合金。本发明合金的特征是含有Ni1.5~4.0%、Si0.30~1.2%和Mg0.05~0.20%,而且按重量比调整到Ni/Si=3~7,Si/Mg≤8.0,余量由Cu和不可避免的杂质组成,并且,最终热处理后材料的最表面的俄歇电子谱的Mg峰强度/Si峰强度之比大于1。 | ||
搜索关键词: | 表面 特性 优良 电子 材料 铜合金 及其 制法 | ||
【主权项】:
1.一种强度、导电性和表面特性优良的电子材料用的铜合金,其特征在于:含有,Ni为1.5~4.0质量百分比(以下用%表示)、Si为0.30~1.2%和Mg为0.05~0.20%,而且,按重量比调整到Ni/Si=3~7,Si/Mg≤8.0,余量由Cu和不可避免的杂质组成,并且,最终热处理后材料最表面的俄歇电子谱的Mg峰强度/Si峰强度之比大于1.0。
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