[实用新型]晶体的高温退火炉无效
申请号: | 00216702.6 | 申请日: | 2000-03-03 |
公开(公告)号: | CN2408570Y | 公开(公告)日: | 2000-11-29 |
发明(设计)人: | 徐军;周国清;邓佩珍 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 上海华东专利事务所 | 代理人: | 李兰英 |
地址: | 201800 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种晶体的高温退火炉,主要包括在能够密封的钟罩内,同一中心轴线的置有埚托、置于埚托上垫板上的待退火晶体,直径Dh大于待退火晶体直径Dj的恒温筒和直径Df大于恒温筒直径Dh的发热体。发热体的热量以辐射的形式传给待退火晶体。待退火晶体不直接接触发热体,退火的温度是缓缓升高,消除了因温度突然升高而引起待退火晶体炸裂的因素。虽然退火温度可以高达2200℃,但均匀而容易控制。适宜对高温氧化物晶体的退火。 | ||
搜索关键词: | 晶体 高温 退火炉 | ||
【主权项】:
1.一种晶体的高温退火炉,包括:置于带排气口(17)的台板(16)上并与台板(16)密封接触的带有充气阀(3)的钟罩(1),在钟罩(1)内置有由支撑架(14)支撑的带通到钟罩(1)外电极柱(15)的电极板(11);在钟罩(1)内电极板(11)的中心位置上,置有带冷却管柱(12)的埚托(10),埚托(10)的上面置有置放待退火晶体(7)的垫板(9),靠近待退火晶体(7)处有伸到钟罩(1)外的热电偶(8);待退火晶体(7)的顶上及周围置有由保温盖(2)和保温筒(4)构成的保温罩(18),电极板(11)的支撑架(14)与埚托(10)的冷却管柱(12)之间置有保温屏(13);其特征在于:在保温筒(4)与待退火晶体(7)之间,置有圆形对称的与电极板(11)直接连接的发热体(5);在发热体(5)与待退火晶体(7)之间置有与发热体(5)同是圆形对称的直径Dh小于发热体(5)的直径Df,大于待退火晶体(7)直径Di的恒温筒(6);上述的发热体(5)、恒温筒(6)、埚托(10)、置于埚托(10)上面的垫板(9)以及置于垫板(9)上的待退火晶体(7)均与钟罩(1)和保温罩(18)是同一中心轴线(OO)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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