[实用新型]多靶磁控溅射卷绕镀膜机无效

专利信息
申请号: 00225251.1 申请日: 2000-07-18
公开(公告)号: CN2433262Y 公开(公告)日: 2001-06-06
发明(设计)人: 彭晶;胡浩龙;李伟 申请(专利权)人: 湖南三才科技有限公司
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/56
代理公司: 湖南省专利服务中心 代理人: 唐国平
地址: 410007 湖南省*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 多靶磁控溅射卷绕镀膜机由卷绕室、镀膜室以及辅助装置构成。在镀膜室中围绕冷却辊设置有至少两对孪生中频磁控溅射靶和三个直流磁控溅射靶。相邻两个靶之间设有隔离槽,开设了抽气孔的隔离槽与抽气装置相通,隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm,隔离槽上配有布气管和冷却水管。本实用新型实现了在柔性材料上的多层介质—金属(合金)—介质膜的连续镀。该机还可采用两套实时监控系统,以实现正、反两个方向的连续卷绕镀。
搜索关键词: 磁控溅射 卷绕 镀膜
【主权项】:
1、一种多靶磁控溅射卷绕镀膜机,包括有卷绕室和镀膜室以及辅助装置,在镀膜室中围绕冷却辊设置多个磁控溅射靶,每两个磁控溅射靶之间设置有隔离槽,该隔离槽与抽气装置联通,在隔离槽上设有抽气孔与靶室相通,隔离槽与冷却辊之间的距离不大于10mm,每一磁控溅射靶配有设置在隔离槽上的工艺气体布气管,其特征在于,设置在镀膜室中的多个磁控溅射靶,其中至少有两对孪生中频磁控溅射靶和至少三个直流磁控溅射靶。
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