[实用新型]非晶系A1InGaN发光二极管结构无效
| 申请号： | 00239022.1 | 申请日： | 2000-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN2427889Y | 公开（公告）日： | 2001-04-25 |
| 发明（设计）人： | 赵汝杰 | 申请（专利权）人： | 赵汝杰 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 隆天国际专利商标代理有限公司 | 代理人： | 陈红,李强 |
| 地址： | 台湾省台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非晶系AlInGaN发光二极管结构,在一蓝宝石基材之上,用气相成多层非晶系化合物半导体层,分别加入i型,p型(及/或)n型杂质,以形成发光二极管组件结构,达到低成本,高良好率的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 晶系 a1ingan 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
1、一种非晶系AlInGaN发光二极管结构，其特征在于，包括：在一蓝宝石基板上上依序形成的及一n型非晶系化合物半导体层、一p／n非晶系化合物半导体层、一非晶系化合物半导体杂质掺杂层、第二p型非晶系化合物半导体层及第一p型非晶系化合物半导体层。
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