[实用新型]反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置无效
| 申请号： | 00248947.3 | 申请日： | 2000-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN2441813Y | 公开（公告）日： | 2001-08-08 |
| 发明（设计）人： | 许生;范垂祯;李自鹏;颜远全;王建峰 | 申请（专利权）人： | 深圳威士达真空系统工程有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10;C23C14/08;C23C14/34 |
| 代理公司： | 深圳市专利服务中心 | 代理人： | 王雄杰 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置,它是由隔离室和抽气泵组成,隔离室的两侧有镀膜室气体入口,隔离室两侧的镀膜室气体入口上置有阀门,隔离室接抽气泵。由于“气阱”的作用,本实用新型巧妙地使不同镀膜室之间在线联镀时的“串气”现象得到了充分有效的抑制,特别是对于现中频反应溅射SiO2与直流溅射ITO工艺的在线联镀,既保证了SiO2镀膜室的氧需要量,提高沉积速率,又保证不影响ITO镀膜质量。 | ||
| 搜索关键词： | 反应 溅射 二氧化硅 导电 膜连镀 气体 隔离 装置 | ||
【主权项】：
1、一种反应溅射二氧化硅与导电膜连镀的气体隔离装置，其特征在于：它是由隔离室和抽气泵组成，隔离室的两侧有镀膜室气体入口，隔离室接抽气泵。
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