[实用新型]双晶片覆晶体无效
申请号: | 00253837.7 | 申请日: | 2000-09-29 |
公开(公告)号: | CN2450782Y | 公开(公告)日: | 2001-09-26 |
发明(设计)人: | 杜修文;彭国峰;陈文铨;何孟南;邱咏盛;陈明辉;叶乃华 | 申请(专利权)人: | 胜开科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 刘领弟 |
地址: | 台湾省*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种双晶片覆晶体。为提供一种成本低、占用电路板空间小、符合环保意识的半导体元件,提出本实用新型,它包括以背对背叠置的第一晶片及第二晶片;第一晶片及第二晶片正面具有焊垫区,并于焊垫区上设有复数以供打线的焊垫。 | ||
搜索关键词: | 双晶 晶体 | ||
【主权项】:
1、一种双晶片覆晶体,其特征在于它包括以背对背叠置的第一晶片及第二晶片;第一晶片及第二晶片正面具有焊垫区,并于焊垫区上设有复数以供打线的焊垫。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造