[发明专利]薄膜晶体管、液晶面板和它们的制造方法无效
| 申请号： | 00800291.6 | 申请日： | 2000-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN1296643A | 公开（公告）日： | 2001-05-23 |
| 发明（设计）人： | 竹桥信逸;生田茂雄;河北哲郎;井上真弓;仓增敬三郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 特别是提供液晶显示装置用的性能优良的LDD型TFT。为此,利用化学反应、电镀等使顶部栅极型的LDD－TFT的栅极电极变成为2个台阶构造,此外,使上部或下部变成为对于别的部分,在源极电极一侧、漏极电极一侧稍微突出出来的形状。然后,在该构造、形状的基础上,以电极为掩模注入杂质。在杂质注入之前,或者除去栅极绝缘膜,或者为防止稀释用氢的侵入形成Ti膜。在底部栅极一侧LDD－TFT中,制造方法也大体上相同。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 液晶面板 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种具备具有在基板上边形成的源极区域、漏极区域栅极区域的半导体层、栅极绝缘膜、源极电极、漏极电极、在栅极绝缘膜上边形成的栅极电极的半导体器件，其特征是：上述栅极电极，是用由硅化物薄膜和金属薄膜构成的上下2层构成，此外，一方的薄膜形成为向另一方薄膜的源极电极一侧和漏极电极一侧的至少一方多少突出出来的LDD形成掩模兼用栅极电极，上述半导体层，由于以上述LDD形成掩模兼用栅极电极为注入掩模注入杂质离子，故具有在上述硅化物膜和上述金属薄膜的位置和杂质离子的注入方向决定的栅极电极位置对应区域上形成的LDD区域。
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