[发明专利]硅膜的形成方法和喷墨用油墨组合物无效
| 申请号： | 00800438.2 | 申请日： | 2000-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN1297576A | 公开（公告）日： | 2001-05-30 |
| 发明（设计）人： | 关俊一;下田达也;宫下悟;古泽昌宏;汤田坂一夫;松木安生;竹内安正 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社;捷时雅株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;C01B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及包括用喷墨头(12)把油墨组合物(11)选择性的喷至基片的预定区域以形成硅前体图案以及其后用热和或光处理把硅前体转变成无定形硅膜或多晶硅膜的硅膜形成方法。该方法可被用来以省能、低价在基片的大面积部分提供硅膜图案。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 方法 喷墨 油墨 组合 | ||
【主权项】：
1．一种硅膜形成方法，其特征在于，用喷墨法把含硅化合物的油墨组合物在基片上进行图案涂布。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
