[发明专利]带自对准栅极的快闪存储单元及其制造方法有效
| 申请号： | 00800528.1 | 申请日： | 2000-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1300444A | 公开（公告）日： | 2001-06-20 |
| 发明（设计）人： | 陈秋峰 | 申请（专利权）人： | 阿克特兰斯系统公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L21/336 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储单元和方法,其中隔离氧化区形成在衬底中有源区的两个相对的侧面上,高度为衬底上有源区宽度的80%到160%数量级的高度;在栅极氧化物上以及沿隔离氧化物的侧面淀积第一层硅,形成具有基本上与栅极氧化物共同延伸的底壁和高度为底壁宽度的80%到160%数量级的侧壁的浮栅;在浮栅上形成介质膜,在介质膜上淀积第二层硅并构图形成控制栅。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 栅极 闪存 单元 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种非易失性存储单元，包括：具有有源区的衬底；有源区上的栅极氧化物；隔离氧化物，从栅极氧化物的相对侧面上的衬底向上延伸到栅极氧化物宽度的80％到160％数量级的高度；栅极氧化物上的浮栅，具有薄底壁和延伸到隔离氧化物顶部的侧壁，由此侧壁的高度为底壁宽度的80％到160％的数量级；覆盖在浮栅上的介质膜；以及位于介质膜上容性耦合到浮栅的控制栅。
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