[发明专利]PTC元件及其制造方法无效
| 申请号： | 00801438.8 | 申请日： | 2000-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1318201A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 高畑兴邦;片冈光宗 | 申请（专利权）人： | 株式会社东金 |
| 主分类号： | H01C7/02 | 分类号： | H01C7/02;H05B3/14 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王维玉,王达佐 |
| 地址： | 日本宫城*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在所述成型复合材料(12)的表面上，其中，35－60体积百分数的导电性粉末状填料与晶体聚合物组分掺杂混合，导电性材料(13)经加压密封并填埋后部分暴露，通过在具有部分暴露导电性材料(13)的成型复合材料上进行镀敷处理以形成镀敷电极(14A)和(14B)。至少一种选自TiC、WC、W2C、ZrC、VC、NbC、TaC、以及Mo2C的材料作为导电性粉末填料。所述PTC复合材料与电极之间的粘合较好，有效地降低二者之间的接触电阻值。进一步地，制备一种具有优异重复电流作用稳定性的PTC元件。 | ||
| 搜索关键词： | ptc 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种PTC元件，其特征在于，所述PTC元件具有成型复合材料，其中35-60体积百分数的导电性粉末状填料与晶体聚合物组分掺杂混合，经加压密封并填埋的导电性材料部分暴露于所述成型复合材料的表面，并且通过在所述成型复合材料表面镀敷以形成电极，以及至少一种选自TiC、WC、W2C、ZrC、VC、NbC、TaC、以及Mo2C的材料作为所述导电性粉末状填料。
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