[发明专利]管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片及其制造方法无效
| 申请号： | 00803046.4 | 申请日： | 2000-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1338118A | 公开（公告）日： | 2002-02-27 |
| 发明（设计）人： | W·K·－H·舒 | 申请（专利权）人： | 皇家菲利浦电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 陈霁,梁永 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的管芯焊盘龟裂吸收集成电路芯片制造系统和方法,可以减少龟裂在集成电路芯片的各层间的延伸。集成电路芯片制造工艺期间,在集成电路芯片的金属间氧化物(IMO)层之间,按弹性模数填料块的形式淀积弹性材料。弹性模数填料块包括弹性模数低于周围IMO材料的材料。弹性模数填料块的弹性特性和模数结构会使弹性模数填料块比相邻材料更软,具有更大的通过集成芯片的各层释放加剧龟裂力的应力能量的能力。通过吸收应力能量,弹性模数填料块减少龟裂穿过集成芯片的各层的延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 管芯 龟裂 吸收 集成电路 芯片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.管芯焊盘吸收龟裂集成电路芯片制造方法，包括以下步骤：a)在晶片上施加扩散材料；b)在所说扩散材料上形成抗蚀掩模图形；c)显影所说晶片以淀积其它材料；及d)在显影所说扩散材料产生的空间中淀积弹性材料。
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