[发明专利]具有深衬底接触的半导体器件无效
| 申请号： | 00803688.8 | 申请日： | 2000-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1160786C | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | T·约翰松;C·尼斯特伦;A·赖丁 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/52;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 罗朋;李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 瑞典;SE |
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| 摘要： | 本发明涉及到一种排列在具有初始掺杂(p+)的半导体衬底(102)的表面(106)处的半导体器件(100)，所述器件具有一种电连接(101)，它包含至少一个由高电导率材料特别是不同于衬底的材料制作，在所述初始掺杂的衬底(102)与衬底的所述表面(106)之间的柱，特别是金属柱。此器件具有至少一个安排成连接到封装件(300)上的接地插脚(301)的接地连接(E)。此接地连接(E)被安排成用所述电连接(101)连接到所述接地插脚(301)，其中初始掺杂的衬底(102)被安排成经由与所述表面(106)相反的衬底反面(124)连接到所述接地插脚(301)，从而被安排来建立所述接地连接(E)与所述接地插脚(301)之间的连接。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 衬底 接触 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种排列在具有初始掺杂(p+)的半导体衬底(102)的表面(106)处的半导体器件(100)，所述器件具有一种电连接(101)，它包含至少一个由高电导率材料制作的柱(121)，并且所述器件具有至少一个安排成连接到封装件(300)上的接地插脚(301)的接地点(E)，其特征在于，所述至少一个柱(121)至少从所述衬底的表面延伸进入衬底，所述至少一个接地点(E)经由所述电连接(101)连接到所述接地插脚(301)，其中所述衬底(102)经由与所述表面(106)相反的衬底反面(124)连接到所述接地插脚(301)，从而建立所述接地点(E)与所述接地插脚(301)之间的连接。
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