[发明专利]沟槽式双扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法

摘要

一种半导体器件包括：一半导体材料的第一区，该区域被掺杂为第一导电类型。在第一区内形成的栅极沟槽具有侧面和底部。一漏极通道沟槽也形成在此第一区域之内，它也具有侧面和底部。一半导体材料的第二区域位于第一区域之内栅极沟槽底部和漏极通道沟槽底部之下并且延伸至所述沟槽底部上方。第二区域具有第一导电类型，并且比第一区域具有更高的掺杂浓度。在栅极沟槽内形成有栅电极。一栅极介电材料层将栅电极同第一和第二区域绝缘。第一导电类型的半导体材料的漏区位于漏极通道沟槽内，并且其掺杂浓度也高于第一区域。源区形成在第一半导体区域的表面上，第二导电类型的主体区域则形成在源区下方的第一区域内。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于包括：一半导体材料的第一区域，该区域被第一导电类型的杂质掺杂到第一浓度；形成于所述第一区域内的栅极沟槽，所述栅极沟槽具有侧面和底部；形成于所述第一区域内的漏极通道沟槽，所述漏极通道沟槽具有侧面和底部；位于所述第一区域内的半导体材料的第二区域，所述第二区域与所述栅极沟槽底部附近的栅极沟槽相邻，并延伸至与所述漏极通道沟槽底部附近的漏极通道沟槽相邻，所述第二区域具有所述第一导电类型，并且比所述第一区域具有更高的掺杂浓度；形成在所述栅极沟槽之内的栅电极；由栅极介电材料形成的层，它将所述栅电极同所述第一和第二区域绝缘；位于所述漏极通道沟槽内的半导体材料构成的漏区，所述漏区具有所述第一导电类型，其掺杂浓度高于所述第一区域；形成在所述第一半导体区域表面上的源区；以及形成在所述源区下方的所述第一区域内的主体区域，所述主体区域具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型；其中，所述第二区域形成于所述栅极沟槽和所述漏极通道沟槽之下，并延伸到所述沟槽底部上方。