[发明专利]半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 00805029.5 | 申请日： | 2000-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1364317A | 公开（公告）日： | 2002-08-14 |
| 发明（设计）人： | M·施雷姆斯;D·德雷谢尔;H·乌策;H·图斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 按本发明制备具有由氧化钨(WOX)制的至少一个层的,必要时具有由氧化钨(WOX)制的一个已结构化层的一种半导体元件。按本发明的半导体元件的特征在于,氧化钨层(WOX)的相对介电常数(εr)大于50。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.具有由氧化钨层(3’)制的至少一个层的半导体元件，其特征在于，氧化钨层(3’)的相对介电常数(εr)大于50。
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