[发明专利]氢化嵌段共聚物无效
| 申请号： | 00805252.2 | 申请日： | 2000-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN1344278A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | S·F·哈恩;J·L·哈恩费尔德;D·A·赫克 | 申请（专利权）人： | 陶氏化学公司 |
| 主分类号： | C08F8/04 | 分类号： | C08F8/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 郭建新 |
| 地址： | 美国密*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氢化嵌段共聚物,它包含至少两个不同的氢化乙烯基芳族聚合物嵌段,以及至少一个氢化共轭二烯聚合物嵌段,其特征在于a)30,000～120,000的总数均分子量(Mnt),其中,每个氢化乙烯基芳族聚合物嵌段(A)具有5,000～50,000的Mna,而且氢化共轭二烯聚合物嵌段(B)具有4,000～110,000的Mnb;以及b)这样的氢化水平每个氢化乙烯基芳族聚合物嵌段具有大于90%的氢化水平,而且氢化共轭二烯聚合物嵌段具有大于95%的氢化水平。 | ||
| 搜索关键词： | 氢化 共聚物 | ||
【主权项】：
1.一种氢化嵌段共聚物，它包含：至少两个不同的氢化乙烯基芳族聚合物嵌段，以及至少一个氢化共轭二烯聚合物嵌段，其特征在于：a)30,000～120,000的总数均分子量(Mnt)，其中，每个氢化乙烯基芳族聚合物嵌段(A)具有5,000～50,000的Mna，而且氢化共轭二烯聚合物嵌段(B)具有4,000～110,000的Mnb；以及b)这样的氢化水平：每个氢化乙烯基芳族聚合物嵌段具有大于90％的氢化水平，而且氢化共轭二烯聚合物嵌段具有大于95％的氢化水平。
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