[发明专利]改进的集成振荡器和调谐电路有效
申请号: | 00805280.8 | 申请日: | 2000-03-13 |
公开(公告)号: | CN1344426A | 公开(公告)日: | 2002-04-10 |
发明(设计)人: | P·T·M·范泽尔 | 申请(专利权)人: | 艾利森电话股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/04 | 分类号: | H01L27/04;H01L23/58;H01L29/93 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王勇,李亚非 |
地址: | 瑞典斯*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一个集成电压控制振荡器(VCO)包括以“堆积”配置方式形成的变容器和固定电容器。由“堆积”固定电容器于构成的变容二极管之上来形成VCO集成电路使半导体表面区摆脱由其他电路元件使用或允许实施更小的集成电路封装。“堆积”还允许与VCO的固定电容和其他元件之间内联相关的寄生电容的减小。 | ||
搜索关键词: | 改进 集成 振荡器 调谐 电路 | ||
【主权项】:
1.一个集成电路包括:集成电路的第一部分,所说第一部分具有第一表面和包括一或多层半导体材料;以及一个电容器包括至少一个导电层和一个介电层,其中该电容器形成在该集成电路的第一部分的第一表面上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的