[发明专利]半导体结构无效

专利信息
申请号: 00805346.4 申请日: 2000-03-22
公开(公告)号: CN1369061A 公开(公告)日: 2002-09-11
发明(设计)人: 罗伯特·毕晓普 申请(专利权)人: 贝尔托尼科斯公司
主分类号: G01N21/88 分类号: G01N21/88;G01N21/64;G01N21/95;G01R31/311
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 韩宏
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 借助于一对相对地且倾斜地,以对于晶片表面及垂线成一倾斜角引导的激光光束以使携载导线图形的一光阻材料层发荧光,来对半导体晶片、电路板及类似多层结构进行高速的光学检查,其中的缺陷将被将被检查出,并最好使用一时间-延迟-集成CCD成象照相机用于记录加重了其上的非发荧光导线图形的一荧光表面图象,同时遮蔽来自下层的所有光。
搜索关键词: 半导体 结构
【主权项】:
1、一种对除了一多层集成电路晶片或类似物的下层上的图形以外的,在顶层上的不透光的导线图形进行光学检查的方法,包括有步骤:在响应于预定频率的一激光而发荧光的一材料的这样一顶层上形成这些导线图形且其中该发荧光频率不同于该预定频率;沿与该层成相对倾斜角从该层的相对侧投射的一对光束,将所述预定频率的激光引导到所述层上;光学地检查响应于该对光束引导到该层上而从该顶层发荧光的所述不同频率的光;产生遮蔽下层的一被照明的顶层发荧光背景且在其上的导线图形呈现为暗线;调节该对激光光束的运行以避免可能产生频率差拍的严格的频率相干;及调节该对光束的所述相对的倾斜的角度以消除否则可能被误显现为暗导线的这些线之间的相邻导线的近侧边之间的暗阴影区的产生。
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