[发明专利]具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法无效
| 申请号： | 00805557.2 | 申请日： | 2000-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1345474A | 公开（公告）日： | 2002-04-17 |
| 发明（设计）人： | 高山彻;马场孝明;詹姆斯·S·哈里斯;Jr· | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01L33/00;H01L31/0304 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 刘国平 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种供半导体结构用的第III族氮化物四元材料体系,包括激光二极管,晶体管,和光检测器,所述结构减少或消除相分离并提供增加的发射效率。在举例性实施方案中,半导体结构包括在基本没有相分离下形成的第一导电型的第一InGaAlN层,基本没有相分离的InGaAlN活性层,和基本没有相分离下形成的相反导电型的第三InGaAlN层。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减少 分离 利用 第三 氮化物 金属 体系 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：具有第一导电型的、InGaAlN材料的第一包复层，InGaAlN活性层，和与第一导电型相反导电型的第二包复层，对各层组成部分的摩尔份数进行选择，以使相分离最小化。
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