[发明专利]铝合金背面结太阳电池及其制作方法有效
| 申请号： | 00806689.2 | 申请日： | 2000-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN1348607A | 公开（公告）日： | 2002-05-08 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔·L·迈尔;休伯特·P·戴维斯;鲁思·A·加西亚;加拉尔·萨拉米 | 申请（专利权）人： | 埃伯乐太阳能公司 |
| 主分类号： | H01L31/068 | 分类号： | H01L31/068;H01L31/0352;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国宾*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述一种太阳电池的制造方法。该方法包括提供基极层(118),并在与基极层的非受照表面(128)相同的侧面上制作p－型电导率的发射极层(120),以提供重掺杂发射极层和位于n－型基极层(118)和p－型发射极层(120)之间的p－n结(124)。本发明的基极层具有n－型电导率并被受照表面(126)和与受照表面相对的非受照表面(128)限定。 | ||
| 搜索关键词： | 铝合金 背面 太阳电池 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
l.一种太阳电池，包括：包括n-型电导率的掺杂原子并被受照表面和非受照表面限定的基极层，当所述太阳电池暴露于光能时，所述受照表面具有照射到其上的所述光能，并且所述非受照表面在所述受照表面的对面；包括铝合金接触并充当p-型电导率层的背面发射极层；以及配置在所述所述基极层的所述非受照表面和所述背面层之间的p-n结层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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