[发明专利]溅射靶及其制造方法有效
| 申请号： | 00807317.1 | 申请日： | 2000-05-01 |
| 公开（公告）号： | CN1350599A | 公开（公告）日： | 2002-05-22 |
| 发明（设计）人： | 中岛光一;石塚庆一;熊原吉一 | 申请（专利权）人： | 株式会社日本能源 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种生产透明导电薄膜的IZO溅射靶,它含100－2000ppm的Sn,其主要由In和Zn的氧化物组成,本发明还涉及一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶的方法,该靶含100－2000ppm的Sn,它主要由在1100－1500℃下烧结In2O3和ZnO的混合粉末的所得的In和Zn的氧化物组成,以致其ZnO的含量为0.5－25重量%。生产透明导电薄膜的IZO溅射靶和透明导电薄膜可恒定地获得,并有很好的再现性,其中主要由In和Zn的氧化物组成的IZO透明导电薄膜得到了改进,未影响其特性,加入微量的Sn降低了其体电阻,在溅射时可稳定放电。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于生产透明导电薄膜的IZO溅射靶，它主要含有In和Zn氧化物，其特征在于，它含有100-2000ppmSn。
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