[发明专利]改进的射频功率晶体管无效
| 申请号： | 00807672.3 | 申请日： | 2000-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN1352806A | 公开（公告）日： | 2002-06-05 |
| 发明（设计）人： | T·约翰逊 | 申请（专利权）人： | 艾利森电话股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,李亚非 |
| 地址： | 瑞典斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明披露了一种用于制造硅双极功率高频晶体管器件的方法。还披露了按照本发明的方法的晶体管器件。所述晶体管器件确保在操作期间用于维持合适的BVCER的条件,从而避免集电极发射极击穿。按照所述方法,沿着在构成硅双极晶体管的衬底的半导体片上的硅双极晶体管(1)的至少一侧设置集成电阻(20)。并且所述集成电阻被连接在硅双极晶体管(1)的基极(2)和发射极(3)的端子之间。附加的集成电阻(20)是在所述半导体片上的扩散型p+电阻,或在绝缘层顶上设置的NiCr电阻。在具有集成的发射极镇流电阻的互相交叉的晶体管结构中,添加的电阻(20)将同时和形成镇流电阻的步骤一起制造。 | ||
| 搜索关键词： | 改进 射频 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造硅双极功率高频晶体管的方法，用于确保维持合适的BVCER的条件，从而避免集电极发射极击穿，其特征在于包括下列步骤：沿着在构成硅双极晶体管的衬底的半导体片上的硅双极晶体管(1)的至少一侧设置集成电阻(20)，以及在硅双极晶体管(1)的基极(2)和发射极(3)的端子之间连接所述集成电阻。
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