[发明专利]低温牺牲氧化物的生成无效
| 申请号： | 00808293.6 | 申请日： | 2000-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN1353861A | 公开（公告）日： | 2002-06-12 |
| 发明（设计）人： | A·米凯利斯;S·库德尔卡 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于生产半导体器件的沉积牺牲氧化物的方法,其中包括在半导体晶片(300)上制备P型硅掺杂区(306)以便在P型硅掺杂区(306)上沉积牺牲氧化物(302)。该方法还包括将晶片安放在电化学槽(100)中的步骤,这样使得包含电解质的溶液(312)与P型硅掺杂区发生反应以便当晶片(300)与溶液(312)之间有电位势差时,在P型硅掺杂区生成牺牲氧化物(302)。另外,该方法还包括采用牺牲氧化物层对晶片进行处理。 | ||
| 搜索关键词： | 低温 牺牲 氧化物 生成 | ||
【主权项】：
1.一种沉积牺牲氧化物以制备半导体器件的方法，包括步骤：在半导体晶片上制备P型硅掺杂区以便在P型硅掺杂区上沉积牺牲氧化物半导体；将晶片放在电化学槽中，使得含有电解质的溶液与P型硅掺杂区发生反应，当晶片与溶液之间有电位势差时，在P型硅掺杂区上生成牺牲氧化物；和用牺牲氧化物层来处理晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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