[发明专利]具有纵向晶体管的存储单元的布图和布线图无效
| 申请号： | 00808639.7 | 申请日： | 2000-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN1355937A | 公开（公告）日： | 2002-06-26 |
| 发明（设计）人： | R·拉蒂乌斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术北美公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,梁永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种具有根据本发明的纵向晶体管的存储器(10)包括在其各侧与相邻有源区焊盘(12)隔离开的有源区焊盘(12),并且具有一组与之相关的沟槽电容(14)。该组沟槽电容(14)经纵向晶体管(22)与有源区焊盘(12)相耦合。有源区焊盘将一组沟槽电容与第一触点(6)相连接。在一组有源区焊盘之间设有一栅极导体焊盘(18),并用于激励与栅极导体焊盘相邻的每个有源区焊盘相邻的至少一个纵向晶体管。每个栅极导体焊盘都由第二触点(24)激励,这样,当通过第二触点激励栅极导体焊盘时,在每个有源区焊盘中的至少一个纵向晶体管导通,提供进入沟槽电容并传输第一触点与沟槽电容之间的状态。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 纵向 晶体管 存储 单元 布线 | ||
【主权项】：
1.一种具有纵向晶体管的存储器件，包括：在所有面上与相邻有源区焊盘隔离的有源区焊盘，该有源区焊盘具有与其相结合的一组沟槽电容器，该组沟槽电容器通过纵向晶体管与有源区焊盘连接，构成的有源区焊盘连接该组沟槽电容器与第一触点；和设置在一组有源区焊盘之间的栅导体焊盘，用来激发与栅导体焊盘相邻的每个有源区焊盘中的至少一个纵向晶体管，通过第二触点激发每个栅导体焊盘，使得当通过第二触点激发栅导体焊盘时，每个有源区焊盘中的所述至少一个纵向晶体管导通以提供进入沟槽电容器的通道，并传输第一触点和沟槽电容器之间的状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
