[发明专利]由聚合物的分解获得的低介电纳米孔材料无效
申请号: | 00808918.3 | 申请日: | 2000-04-14 |
公开(公告)号: | CN1355858A | 公开(公告)日: | 2002-06-26 |
发明(设计)人: | S·卡斯;R·Y·K·梁 | 申请(专利权)人: | 联合讯号公司 |
主分类号: | C23C18/12 | 分类号: | C23C18/12;H01L21/316;C08L83/04;C09D183/04 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴大建,杨九昌 |
地址: | 美国新*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及新型的机械强度提高了的低介电常数纳米孔介电薄膜并涉及在适合于用来生产集成电路的基体上产生这种薄膜的改进方法。所述纳米孔介电薄膜由下述方法制备制备一种旋涂玻璃材料与一种合适的可热降解聚合物在一种或多种相容性溶剂中的混合物。将所得混合物涂布到适合于生产集成电路的基体上以形成带涂层基体。然后将该带涂层基体在一个或多个温度下加热一段时间,以有效地除去可热降解聚合物,从而形成所需的低介电纳米孔薄膜。同时也提供半导体,如带有本发明薄膜的集成电路。 | ||
搜索关键词: | 聚合物 分解 获得 低介电 纳米 材料 | ||
【主权项】:
1.一种包含一种旋涂玻璃材料的低介电纳米孔薄膜,所述薄膜已由一种包含下列步骤的方法生产:(a)制备一种由至少一种旋涂玻璃材料与一种可热降解聚合物在一种相容性溶剂中的混合物,(b)将步骤(a)的混合物涂布到一种基体上以形成一种带涂层基体,(c)将步骤(b)中的带涂层基体在一个或多个温度下加热一段时间以有效地形成所需的低介电纳米孔薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
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