[发明专利]静态随机存取存储器(SRAM)有效
申请号: | 00809871.9 | 申请日: | 2000-04-26 |
公开(公告)号: | CN1379913A | 公开(公告)日: | 2002-11-13 |
发明(设计)人: | T·舒尔茨;G·恩德尔斯;L·里施;D·维德曼 | 申请(专利权)人: | 西门子公司 |
主分类号: | H01L27/11 | 分类号: | H01L27/11;H01L21/8244 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 王岳,张志醒 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种具有成对的垂直双栅CMOS晶体管的半导体本体。绝缘层水平延伸在半导体本体表面下方,此绝缘层被排列在成对晶体管下方。晶体管与其它的这种晶体管一起被安排形成同步动态随机存取存储器(SRAM)阵列。此阵列包括排列成行和列的多个SRAM单元,每一个单元具有连接到字线接触的字线,此字线接触被单元中相邻的4个单元共用。一个单元具有多个安排来提供SRAM电路的电互连的MOS晶体管,每一个单元具有VDD接触和VSS接触,这种接触中的一个被排列在每一个单元的中心,而另一个接触被相邻的4个单元共用。每一个单元具有接触中的一个公共接触和排列在单元周边角落区的字线接触。 | ||
搜索关键词: | 静态 随机存取存储器 sram | ||
【主权项】:
1.一种SRAM单元,它包含:半导体本体;垂直延伸在半导体本体内的多个电互连的成对双栅CMOS晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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