[发明专利]隧道触点及其制造方法有效
| 申请号： | 00809877.8 | 申请日： | 2000-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1359540A | 公开（公告）日： | 2002-07-17 |
| 发明（设计）人： | R·温特斯 | 申请（专利权）人： | 因芬尼昂技术股份公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张志醒 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种隧道触点及其制造方法。所述隧道触点具有一个第一电极(1)和一个第二电极(2)以及一个布置在所述第一电极(1)和第二电极(2)之间的隔离腔(3)。所述隔离腔(3)内有气体或真空,所以在所述第一电极(1)和第二电极(2)之间流动的隧道电流隧穿气体或真空。根据本发明,所述隧道触点可用于非易失性存储器(10),使得存储器电极(11)能够通过电子实现充电和放电。所述非易失性存储器(10)例如是一种EPROM类型的存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 隧道 触点 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.隧道触点，具有一个第一电极(1)和一个第二电极(2)以及一个隔离腔(3)，本发明的特征在于，在位于所述第一电极(1)和第二电极(2)之间的所述隔离腔(3)内有气体或真空。
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