[发明专利]在快擦写EEPROM中编程及过擦除更正模式中弱化位线漏电流的电路装置有效
| 申请号： | 00811545.1 | 申请日： | 2000-08-01 |
| 公开（公告）号： | CN1369096A | 公开（公告）日： | 2002-09-11 |
| 发明（设计）人： | 科林·比尔;S·S·海德特;J·苏溪彰;陈为汉 | 申请（专利权）人： | 先进微装置公司 |
| 主分类号： | G11C16/00 | 分类号： | G11C16/00 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戈泊,王刚 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种可以在编程和过度擦除操作中弱化位线漏电流的方法和一种快擦写存储器元件。快擦写存储器单元排列在I/O区块的阵列中,而I/O区块中有许多行和许多列。在共同阵列的源极连接和接地之间连接着一个电阻器阵列。电阻器阵列包含一组电阻器,每一组电阻器有一个编程模式电阻器和一个APDE模式电阻器。当一条字线选择成编程或APDE的模式时,有一个数据缓冲器可以将一个编程模式电阻器或一个APDE模式电阻器切换至线路当中。这些电阻器的电阻值的选择,是为了使源极上的电压提升至存储器单元的所选择的门限电压之上,所以在编程或APDE时,过度擦除的存储器单元不会提供漏电流至位线。 | ||
| 搜索关键词： | 擦写 eeprom 编程 擦除 更正 模式 弱化 漏电 电路 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器元件，该存储器元件包括：排列在n个I/O区块阵列中的快擦写存储器单元，每一个I/O区块具有m行和p列；连接到一条位线上的每一行中每一个快擦写存储器单元的漏极；连接到一条字线上的每一列中每一个快擦写存储器单元的控制栅极；连接到共同阵列的源极连接点上阵列中的每一个快擦写存储器单元的源极；连接到数据缓冲器和逻辑线路元件上n个I/O区块中每一个区块的每一条位线；以及在共同阵列的源极连接点和接地之间连接电阻器阵列。
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