[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 00812981.9 | 申请日： | 2000-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1375113A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 竹桥信逸;河北哲郎;武富义尚;筒博司 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 刘宗杰,叶恺东 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的课题是,为了用于液晶显示装置等,在基板上排列形成了多个微小并且具有良好精度的LDD结构的薄膜晶体管。为此,以栅电极作为向半导体层注入杂质时的掩模。由于为LDD结构,故分两次注入杂质。在第1次和第2次注入杂质时,栅电极的尺寸对应于LDD长度而变化。作为改变用作杂质注入掩模的栅电极尺寸的方法,利用了金属氧化或干法刻蚀。为了对栅电极以高精度进行干法刻蚀,应在光致抗蚀剂方面下工夫。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种LDD结构的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，包括：使用抗蚀剂由栅电极形成用金属膜形成虚拟栅电极的虚拟栅电极形成步骤；在形成虚拟栅电极所使用的抗蚀剂位于上部的状态下，以虚拟栅电极为掩模，向半导体层以高浓度注入杂质的第1次杂质注入步骤；利用刻蚀使抗蚀剂在沟道方向的两端面后退到中心附近，使虚拟栅电极在沟道方向两端部的表面露出的孤立抗蚀剂刻蚀步骤；以残存的抗蚀剂为掩模用刻蚀法去除掉露出的虚拟栅电极两端部的虚拟栅电极两端去除步骤；以及以去除掉虚拟栅电极的两端而形成的栅电极为掩模向半导体层以低浓度注入杂质的第2次杂质注入步骤。
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