[发明专利]通过两个功率晶体管的交织结构来改善放大器电路内的散热

摘要

在电子信号处理电路的输出级中,例如用于移动电话机的发射的电子信号处理电路的输出级,该放大器电路包括FET型的两只功率晶体管(A,B)。这些功率晶体管被用于放大如双波段电话机中不同波长段的不同信号并且不被同时使用。每只功率晶体管包括多个单元晶体管(19,21)或“指”,这些单元晶体管被叉指组合以形成交织布局,一个晶体管的单元晶体管同另一个晶体管的单元晶体管相交替。由此,当单元晶体管位于两个几何上分开的组内时,可以接收该单元晶体管耗散的热量的有效面积是该单元晶体管使用面积的二倍,从而允许在每个晶体管单元上有较高的功率负载。

主权项

1.一种放大信号的放大器电路，该电路包括至少两只功率场效应晶体管，第一功率场效应晶体管和不同于第一功率场效应晶体管的第二功率场效应晶体管，第一功率场效应晶体管被布置成放大第一信号而第二功率场效应晶体管被布置成放大第二信号，每一个功率场效应晶体管包括多个单元晶体管，该功率场效应晶体管和单元晶体管具有源极、栅极和漏极，其特征在于：第一功率场效应晶体管的单元晶体管与第二功率场效应晶体管的单元晶体管交替排列，并且包含在第一功率场效应晶体管内和位于包含在第二功率场效应晶体管内的两个单元晶体管之间的每个单元晶体具有它的源极和它的漏极，它的源极直接位于包含在第二功率场效应晶体管内并位于包括在第一功率场效应晶体管内的单元晶体管一侧的单元晶体管的源极；它的漏极位于包含在第二功率场效应晶体管内并位于包含在第一功率场效应晶体管内的单元晶体管的不同的一侧的另一个单元晶体管的漏极。