[发明专利]具有改善了电流的输入耦合性能的表面结构光辐射二极管有效
| 申请号： | 00813471.5 | 申请日： | 2000-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN1376315A | 公开（公告）日： | 2002-10-23 |
| 发明（设计）人： | R·韦斯;K·斯特罗伊贝尔 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵辛 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 由一个发光层(20)和一个比较厚的透明的电流耗散层(30)构成的光辐射二极管(100)发出的光信号的输出因电流耗散层(30)表面的垂直结构而得到了改善,与此同时因第二个电接触层(asecondelectricalcontactlayer,einezweiteelektrischeKontaktschicht)(50)有一个分布式侧面的结构,(adistributedlateralstructure,eineverteiltelateralestruktur)而使得电流耗散层(30)中电流的输入耦合基本实现了均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 改善 电流 输入 耦合 性能 表面 结构 光辐射 二极管 | ||
【主权项】：
1.光辐射二极管(100)包括：——一个半导体式结构，其构成有，一个衬底(10)，和至少一个位于衬底(10)之上的发光层(20)和一个置于发光层(20)之上的透明的电流耗散层(30)，——一个位于衬底背面上的第一电接触层，和——一个安置在电流耗散层(30)上面的第二电接触层(50)，其特征是，——电流耗散层(30)的表面具有一种垂直的结构方式(40)，用于改善光的输出耦合，和——第二电接触层(50)，具有旁侧式结构，利用它可实现电流耗散层(30)中电流基本均匀的输入耦合。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司，未经奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/00813471.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：眼镜装置
- 下一篇：气体传感器及其制造方法
