[发明专利]铁电体晶体三极管及其在存储单元装置中的应用

摘要

本发明的半导体衬底(11)上彼此相挨地排列着第一源漏区(121)、沟道区(13)和第二源漏区(122)。一个电介质层(14)至少覆盖了该沟道区的表面和第一源漏区的大部分。上述电介质层的表面上两个极化电极(16、18)之间具有一铁电机体层(17)。一个栅电极就位于此电介质层表面上。所述电介质层厚度尺寸的确定,要使得位于两个极化电极之间并与它们对齐的铁电体层的剩余的极化强度,能够在所述沟道区的一个部分中产生出补偿电荷来。这种铁电体晶体三极管适宜在一个存储单元装置中用作存储单元。

主权项

1.铁电体晶体管，——其中，在半导体衬底的主平面上，第一源漏区、沟道区和第二源漏区依次相邻，其中，所述沟道区位于第一源漏区与第二源漏区之间，——其中，设置一电介质层，该电介质层至少要覆盖所述沟道区的表面，和重叠在第一源漏区的表面上，——其中，在所述电介质层的表面上，配置有一铁电体层，该铁电体层至少盖住了第一源漏区与沟道区相毗连的部分。——其中，在所述电介质层的表面上，还配置有第一极化电极和第二极化电极，而所述的铁电体层由处于两者之间，——其中，在所述沟道区第一区段的上方，配置有一栅电极，其中，所述电介质层的厚度在第一区段上方处的部分小于在所述沟道区第二区段上方而又在第二极化电极下方的那部分，——其中，所述电介质层的厚度在第一源漏区与所述沟道区相毗连部分上方处的尺寸的确定要能够使得，与主平面平行对齐的所述铁电体层的剩余极化强度，可以在所述沟道区第二区段内产生补偿电荷。