[发明专利]沟槽隔离区的制作方法

摘要

一种沟槽隔离区的制作方法,是以微影及蚀刻技术限定出一沟槽隔离区,并通过一次间隔壁的制作在此沟槽隔离区两侧形成一间隔壁,以消除硅基材上的此沟槽隔离区与一相邻的主动区域之间尖锐的交界角,进而增加后续闸极多晶硅的蚀刻制作空间(processwindow),减少多晶硅在此交界角的残留机会,从而降低闸极短路的危险。

主权项

1.一种沟槽隔离区的制作方法，其特征在于，它至少包括：提供一硅基材；沉积一第一介电材质层在该硅基材上；以微影及蚀刻技术限定一隔离区；沉积一第一绝缘材质层在具有该隔离区的该硅基材上；进行非等向性蚀刻，以在该隔离区两侧形成一间隔壁；沉积一垫氧化层在具有含该间隔壁的该隔离区的该硅基材上；沉积一氮化硅层在该垫氧化层上；覆盖一光罩在该氮化硅层上，进行该隔离区的非等向性蚀刻，以形成一沟槽隔离区；沉积一第二介电材质层在该整个硅基材上，借此将该第二介电材质填入该沟槽隔离区内，以作为该沟槽隔离区内的一绝缘材质；使用化学机械研磨法将该第二介电材质层磨平坦；及除去该垫氧化层及该氮化硅层，而形成一具有缓和交界角的沟槽隔离区结构。