[发明专利]铁电半导体存储器的制法

摘要

开关晶体管(2)在半导体衬底(1)上形成,绝缘层(4)沉积在开关晶体管(2)上,随后在绝缘层(4)上形成具有铂电极(7,9)和铁电或仲电介质(8)的存储电容器。为了在进一步的工艺步骤中防止氢进入介质(8),第一壁垒层(5)置入到绝缘层(4)内,并在制成存储电容器之后,淀积本身与第一壁垒层(5)连接的第二壁垒层10。

主权项

1．半导体部件的制法，其中，a)．在半导体衬底1上形成开关晶体管(2)，b)．在开关晶体管(2)上沉积绝缘层(4)，其中插入尤其是防止氢扩散的第一壁垒层(5)，c)．与开关晶体管(2)耦合的存储电容器沉积到绝缘层(4)上，该电容器包含下电极(7)、上电极(9)，其间淀积含氧化物金属的层(8)，d)．在垂直腐蚀步骤中，在存储电容器外直到一定深度为止去除绝缘层(4)，其中，第一壁垒层向外露出，e)．尤其是防止氢渗透的第二壁垒层(10)沉积到存储电容器和绝缘层(4)以及第一壁垒层(5)上。