[发明专利]半导体器件制作工艺及传导结构有效
| 申请号： | 01101649.3 | 申请日： | 2001-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN1306301A | 公开（公告）日： | 2001-08-01 |
| 发明（设计）人： | 菲利浦·J·特宾;欧鲁布米·阿德图土;比卡斯·迈逖 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/31;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 可以形成带有金属层的半导体器件和传导结构。在一种实施方案中,半导体器件含有非晶质金属层(22)和晶质金属层(42)。非晶质金属层(22)有助于减少通过该层可能的渗透杂质。在非晶质金属层(22)上形成的更具传导性晶质金属层(42)有助于保持相对较低的电阻系数。在形成传导结构时,含金属前体气体和清扫气体至少在一个时间点同时吹流。传导结构可以是栅电极的一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制作 工艺 传导 结构 | ||
【主权项】：
1．一种形成半导体器件的工艺，其特征在于：在半导体基底(10)上形成绝缘层(14)；在绝缘层(14)上形成非晶质含金属层(22)；以及在非晶质含金属层(22)上形成晶质含金属层(42)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
