[发明专利]磁传感器和使用它的磁存储器无效
| 申请号： | 01103366.5 | 申请日： | 2001-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN1319900A | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 拉约斯·瓦尔加;清水丰;江口伸;田中厚志 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L41/08 | 分类号： | H01L41/08;G01R33/09;G11C11/15 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种磁传感器,其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件,至少一部分第一磁性层由Ni－Fe材料构成,以wt%计算的Ni含量XNi和以纳米表示的其厚度t满足上式表示的关系其中,BBulk1=－53.78J/cm3,BBulk2=－0.6638J/cm3,BSurf1=1.7548×10－6J/cm2,BSurf2=－2.432×10－8J/cm2。还公开了一种包括磁头和磁记录介质的磁存储器,其中磁头使用根据本发明的磁传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 传感器 使用 磁存储器 | ||
【主权项】：
1．一种磁传感器，其包括由软铁磁材料的第一磁性层、非磁性层、铁磁材料的第二磁性层和反铁磁层构成的层状结构和用于检测外部磁场变化为电阻变化并将其输出的转换元件，至少一部分第一磁性层由Ni-Fe材料构成，以wt％计算的Ni含量XNi和以纳米表示的其厚度t满足下式表示的关系：XNi≥-B1Surf+B1·Bulk·tB2Surf+B2Bulk·t其中，BBulk1=-53.78J/cm3Baulk2=-0.6638J/cm3BSurf1=1.7548×10-6J/cm2BSurf2=-2.432×10-8J/cm2
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