[发明专利]半导体存储器件

摘要

本发明的半导体存储器件的存储电容器2,由下部电极8、电容绝缘膜9、上部电极12构成,其下部电极8由第1阻挡膜6和第2阻挡膜7组成。第1阻挡膜6,由从上层开始的Ir膜/TiAlN膜/Ti膜的叠层膜组成。第2阻挡膜7,由从上层开始Pt膜/IrO2膜的叠层膜形成,是为了完全覆盖第1阻挡膜6而设置的。据此,能够阻滞来自第1阻挡膜6的侧面的氧扩散,就能够防止因连接柱11氧化而发生的接触不良。

主权项

1．一种半导体存储器件，具有存储数据用的存储电容器，该存储电容器由与连接柱相连接的第1电极、第2电极和介于第1电极与第2电极之间的电容绝缘膜构成，其特征在于：所述第1电极包含有与所述连接柱相接触的第1阻挡膜和设置在所述第1阻挡膜上具有防止氧扩散功能的第2阻挡膜，所述第2阻挡膜是覆盖在所述第1阻挡膜的上面和侧面。