[发明专利]制备用于电连接的导电座的方法及形成的导电座有效
| 申请号： | 01104679.1 | 申请日： | 2001-02-21 |
| 公开（公告）号： | CN1311526A | 公开（公告）日： | 2001-09-05 |
| 发明（设计）人： | 卡洛斯·J·桑布塞蒂;丹尼尔·C·艾德尔斯坦;约翰·G·高德罗;朱迪思·M·鲁宾诺;乔治·沃克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/48;H01L23/48;H05K3/00;H05K1/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种制备用于电连接的具有优良的扩散阻挡层与附着性能的铜座表面的方法。首先提供经过酸溶液清洁的铜座表面,然后在铜座表面上沉积含磷或含硼合金的保护层,接着在保护层上面沉积稀有金属的附着层。或者,可在化学沉积保护层之前在铜导电表面与保护层之间沉积一层Pd形核层。或者,可通过无电镀Au沉积处理在附着层的上面沉积一层稀有金属层。本发明还公开一种电结构,它包括形成在附着层上并含有同附着层形成整体的电连接即引线键合或钎焊凸块的导电座。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 用于 连接 导电 方法 形成 | ||
【主权项】：
1．一种制备用于电连接的铜座表面的方法，包括步骤：提供铜座表面；在铜座表面上选择地沉积一个含磷或含硼合金的保护层；与在所述保护层上面选择地沉积一个稀有金属的附着层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01104679.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
