[发明专利]生产半导体器件的工艺无效
| 申请号： | 01104687.2 | 申请日： | 1996-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1322008A | 公开（公告）日： | 2001-11-14 |
| 发明（设计）人： | 一濑博文;泽山一平;长谷部明男;村上勉;久松雅哉;新仓谕;上野雪绘 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3063 | 分类号： | H01L21/3063;H01L21/465;H01L31/18;C25F3/12 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 刻蚀物体的方法和刻蚀装置,该方法包括将物体浸入电解液作负电极;设置具有相应图形的相对电极,与物体维持预定间隔;物体和相对电极之间加直流或脉冲电流,将物体上要刻蚀的区域刻蚀成相对应的图形。该刻蚀装置包括固定基片的基片固定部件;装电解液的电解槽;移动基片固定部件的移动装置;和固定相对电极的相对电极固定部件,使所说相对电极位于固定于基片固定部件上的基片的对面。 | ||
| 搜索关键词： | 生产 半导体器件 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种生产半导体器件的工艺，包括下列步骤：(a)将用于半导体器件且具有包括要刻蚀薄膜的区域的基片浸入电解液使所说基片作负电极的步骤，(b)设置具有和所说电解液中所说基片要刻蚀区域上将要形成的要求刻蚀的图形相对应的图形的相对电极，使所说相对电极与所说基片维持预定的间隔的步骤，和(c)在所说基片和所说相对电极之间加直流电流或脉冲电流，将所说基片上要刻蚀的区域刻蚀成和所说相对电极的所说图形相对应的图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
