[发明专利]气相氯化制备氯甲基氯硅烷的方法和装置无效
| 申请号： | 01105690.8 | 申请日： | 2001-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN1317488A | 公开（公告）日： | 2001-10-17 |
| 发明（设计）人： | 姜标;解德良 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海有机化学研究所;中国科学院有机合成工程研究中心 |
| 主分类号： | C07F7/12 | 分类号： | C07F7/12 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 邬震中 |
| 地址： | 20003*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种通过气相氯化反应制备的氯甲基氯硅烷的方法和装置。该法以甲基氯硅烷为原料，在不需要任何特殊紫外光源条件下，仅靠室内一般可见光照射进行的气相氯化反应，从而得到较高产率的氯甲基氯硅烷的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 氯化 制备 甲基 硅烷 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种气相氯化反应制备氯甲基氯硅烷的方法，其特征是在可见光下，以甲基氯硅烷为原料与氯气和惰性气体的混合气体中的氯气直接进行气相氯化反应制得，甲基氯硅烷与氯气的摩尔比为1∶0.1-0.75，在50-80℃时反应时间1-24h，所述的甲基氯硅烷分子式为CH3Si(CH3)mCl3-m，所述的氯甲基氯硅烷分子式为ClCH2Si(CH3)mCl3-m，其中m=0-2，混合气体中惰性气体的含量为0-80％。
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