[发明专利]一种用于人工晶体约束生长的方法和装置有效
| 申请号： | 01106772.1 | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1314505A | 公开（公告）日： | 2001-09-26 |
| 发明（设计）人： | 黄卫东;王猛;王文礼 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | C30B19/00 | 分类号： | C30B19/00;C30B19/04 |
| 代理公司： | 航空工业部西北专利事务所 | 代理人： | 慕安荣 |
| 地址： | 710072 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种人工晶体生长的方法及装置。为克服现有技术中晶体生长质量低,表面质量差的不足之处,本发明在熔体中以预先设定形状的生长器作为结晶器,采用夹持器选取籽晶取向,控制形核条件,使晶体以籽晶为核心形成外延生长,成长为具有特定晶向和形状的晶体器件,并在晶体生长完成后采用封闭结晶器的方法以保护晶体。本发明可获得大体积、高质量的晶体材料,减少后续的加工工序,实现高质高效的晶体生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 人工 晶体 约束 生长 方法 装置 | ||
【主权项】：
1．一种在熔体中进行人工晶体生长的方法，其特征是采用夹持器[3]将籽晶引入熔体中，利用结晶器进行约束条件下的人工晶体生长。
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