[发明专利]分子集成电路分子电器无效
| 申请号： | 01106836.1 | 申请日： | 2001-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN1344027A | 公开（公告）日： | 2002-04-10 |
| 发明（设计）人： | 丁文南 | 申请（专利权）人： | 丁文南 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 414500 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了利用分子技术1/10000(微米)即埃的标准量化原理的P/NMIC系统和N/PMIN系统两大类基本电路构成处理系统,将这些基本电路加以各种信号及电路变换和组合可以构成各式各样专门用途的分子集成电路分子电器,取代现有电气、电子工业电器产品中所应用电子管电子电路结构电器产品、晶体管电子电路结构电器产品,集成电路结构电器产品传统技术结构方式和运用模拟技术、数字技术传统电气技术方式电器产品。 | ||
| 搜索关键词： | 分子 集成电路 电器 | ||
【主权项】：
1、分子集成电路分子电器，其特征是该分子集成电路分子电器利用分子技术就是以1/10000(微米)标准量化原理，基本电路构成处理系统由P/NMIC和N/PMIC两大类组成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于丁文南，未经丁文南许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01106836.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：氯的制造方法
- 下一篇：含有维生素B3的化妆品组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
