[发明专利]一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法无效
| 申请号： | 01108247.X | 申请日： | 2001-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN1140654C | 公开（公告）日： | 2004-03-03 |
| 发明（设计）人： | 施毅;郑有炓;汪峰;刘建林;陆阳;吴军;张荣;顾书林;胡立群;韩平;江若琏;朱顺明 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C23F1/02 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法，采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀。NH4OH溶液浓度控制在5-25％，腐蚀温度在60～85℃之间。此方法不仅具有很高的选择腐蚀比，而且与常规微电子集成电路工艺兼容，且溶液无毒、还具有工艺简单等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 化学 选择 腐蚀 方法 | ||
【主权项】：
1、一种对硅/锗合金的硅化学选择腐蚀方法，其特征是采用NH4OH溶液对硅/锗合金的硅进行化学选择性腐蚀，NH4OH溶液的浓度控制在5-25％，腐蚀温度在60-85℃之间。
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