[发明专利]具分时充电架构的承受机处理内存无效
| 申请号： | 01109218.1 | 申请日： | 2001-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN1372266A | 公开（公告）日： | 2002-10-02 |
| 发明（设计）人： | 廖敏顺;刘鸿志 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/00 | 分类号： | G11C7/00;G11C7/12 |
| 代理公司： | 北京银龙专利代理有限公司 | 代理人： | 皋吉甫 |
| 地址： | 台湾新竹科学工*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一分时充电架构的随机处理内存,使其因充电时所产生的瞬间电压降问题得以解决,使电路出错的机率降低,以提高读取位值的可靠度。在本发明实施例,是依时间顺序先后,以高电位相同周期的充电方式,导通上牵组件而对位线充电,因此对于充电产生的瞬间电压降分散在不同的时间,所以整个总瞬间电压降减少。 | ||
| 搜索关键词： | 分时 充电 架构 承受 处理 内存 | ||
【主权项】：
1.一种具有分时充电架构的随机处理内存，其包括：内存数组，其由MXN个记忆单元组成M列N行的数组；复数条字符线，其连接相同一列的复数个该记忆单元；复数条位线，其连接相同一行的复数个该记忆单元；复数个上牵组件，其具有一位线端、一电压端及一控制讯号端；复数个检测放大器，其连接相同一行的位线；其中，连接至各个该上牵组件的各个控制讯号是以彼此不同时段出现高电位周期，使该上牵组件导通而对该位线充电。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于矽统科技股份有限公司，未经矽统科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/01109218.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：治疗糖尿病中药制剂
- 下一篇：便携式物件鉴权方法,便携式物件及实行方法的装置
