[发明专利]低压力衬里的浅沟隔离元件的制备方法无效
| 申请号： | 01109498.2 | 申请日： | 2001-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN1374689A | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 徐震球;钟振辉;林义雄 | 申请（专利权）人： | 矽统科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/76 | 分类号： | H01L21/76 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 在一般以氮化硅为衬里的浅沟隔离元件中,其衬里与硅底材间会有极大的应力产生,而造成隔离元件中有裂痕或缺陷。本发明公开了一种低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法,其是以一介电材料为衬里,例如氮氧化硅或是氧化硅/氮化硅/氧化硅的多层结构,除了可缓解衬里与硅底材间的应力之外,并避免后续加工对半导体元件所造成的损害,以提高浅沟隔离元件的品质。 | ||
| 搜索关键词： | 压力 衬里 隔离 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种低应力衬里的浅沟隔离元件的制备方法，包含下列步骤：(a)氧化一硅底材的表面以形成一垫氧化层；(b)沉积一氮化硅帽盖于该垫氧化层上；(c)于该氮化硅帽盖上涂布一层光阻，并经平版印刷蚀刻而于该硅底材中形成一浅沟渠；(d)沉积一氮氧化硅于该浅沟渠内以形成衬里；及(e)沉积一氧化层以填充该浅沟渠。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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