[发明专利]多层薄光阻的微影制程有效
| 申请号： | 01109525.3 | 申请日： | 2001-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1379442A | 公开（公告）日： | 2002-11-13 |
| 发明（设计）人： | 王立铭;蔡高财 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多层薄光阻的微影制程,可以用来在基底上形成具有预定厚度的复合光阻层。本方法的步骤如下首先形成一光阻层于基底之上,然后使用光罩来图案化光阻层,再稳定化光阻层,接着重复上述步骤,继续累积并图案化至少另一层光阻层于基底之上,使得每一层光阻层的图案皆与前一层光阻层之图案相同,直至形成预定厚度之复合光阻层为止。 | ||
| 搜索关键词： | 多层 薄光阻 微影制程 | ||
【主权项】：
1、一种多层薄光阻的微影制程，适用于一基底，以在基底上形成具预定厚度的复合光阻层，其特征在于：其包括下列步骤：形成光阻层于基底之上；使用光罩对光阻层进行曝光，再进行显影以图案化光阻层；稳定化光阻层；以及重复上述步骤，继续累积并图案化至少另一光阻层于基底之上，并使每一光阻层的图案与前一光阻层的图案相同，直至形成具预定厚度的复合光阻层为止。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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