[发明专利]动态随机存储器电容器的制造方法有效
申请号: | 01109530.X | 申请日: | 2001-03-30 |
公开(公告)号: | CN1378262A | 公开(公告)日: | 2002-11-06 |
发明(设计)人: | 刘豪杰;陈锡铨;张荣和;蔡泓祥;王立铭;黄森焕;许伯如;谢文贵 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/70 | 分类号: | H01L21/70;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人: | 王学强 |
地址: | 台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种动态随机存储器电容器的制造方法,是在一基底上定义主动区后,在基底上形成复数条平行排列的字符线,接着,在字符线间,预定形成位线接触窗与节点接触窗的位置形成第一插塞与第二插塞,而其余的字符线间则填入绝缘材料。之后,在第一插塞上形成一位线接触窗,接着在基底上形成复数条平行排列,且与字符线垂直相交的位线,其中位线经由位线接触窗与第一插塞以及基底电性连接,而位线与位线之间电性绝缘,且位线上覆盖有一硬材料层。最后在第二插塞上形成一节点接触窗。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机 存储器 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种动态随机存储器电容器的制造方法,适用于一基底上,其特征在于:该制造方法至少包括:在基底上定义复数个主动区;在基底上定义复数条互相平行排列的字符线,这些字符线间以一间隙隔开;在间隙中填入第一绝缘层;定义第一绝缘层,形成作为位线接触窗的第一自动对准接触窗开口以及作为节点接触窗的第二自动对准接触窗开口;在第一自动对准接触窗开口与第二自动对准接触窗开口中填入导电材料,形成第一自动对准接触窗与第二自动对准接触窗;在这些字符线上形成第二绝缘层;定义第二绝缘层,形成一位线接触窗开口;在位线接触窗开口填入导电材料,形成一位线接触窗,使位线接触窗经由第一自动对准接触窗与基底电性耦接;在第二绝缘层上形成一介电层;定义介电层,形成复数条与字符线垂直而互相平行排列的沟道;在这些沟道中填入导电材料,形成复数条位线,这些位线的一上表面低于介电层,且这些位线经由位线接触窗与第一自动对准接触窗电性连接;在位线上形成一硬材料层,将这些沟道填满;定义介电层与第二绝缘层,形成一节点接触窗开口;以及在节点接触窗开口中填入导电材料,形成一节点接触窗,其中节点接触窗经由第二自动对准接触窗与基底电性耦接。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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