[发明专利]沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法

摘要

一种沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法。此方法是在具有磊晶层的基底上形成井区与沟道之后,先在沟道侧壁周缘的井区中形成源极区,再于沟道中与部分的磊晶层上形成栅极介电层、多晶硅栅极层与顶盖层。其后将氮气阳离子植入于磊晶层的表面,使磊晶层的氧化速率减缓,接着,再进行热氧化制造工艺,以使多晶硅栅极层的侧壁氧化而形成氧化间隙壁。最后,在基底上形成介电层,并进行自动对准接触窗开口制造工艺,以在介电层中形成裸露出源极的接触窗开口,然后,再于接触窗开口与介电层的表面形成金属层,以电性连接源极区。

主权项

1、一种沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法，其特征在于包括：提供一基底，该基底上具有一磊晶层，且于该磊晶层中形成一井区；于该基底具有该井区的该磊晶层中形成一沟道；于该沟道侧壁周缘的部分的该井区中形成一源极区；于该基底上形成一栅极介电层；于该沟道之中与部分该磊晶层上的该栅极介电层上形成一导体栅极层与一顶盖层；进行一第一离子植入步骤，以将一物种植入于该磊晶层的表面，使该磊晶层的氧化速率减缓；进行一热氧化制造工艺，以使该导体栅极层的侧壁氧化而形成一氧化间隙壁；于该基底上形成一介电层；进行一自动对准接触窗开口制造工艺，以在该介电层中形成裸露出该源极的一接触窗开口；以及于该接触窗开口与该介电层的表面形成一金属层，以电性连接该源极区。