[发明专利]埋入式电容器下电极的制造方法

摘要

本发明披露一种埋入式电容器下电极的制造方法,于以液相沉积氧化层保护沟渠的非下电极预定区,避免因掺有杂质的硅玻璃层残留于非下电极预定区,而于热退火处理过程中扩散驱入基底内,产生不想要的扩散区,并与下电极电性连接,而导致埋入式电容器产生漏电。

主权项

1.一种埋入式电容器下电极的制造方法，其特征是：其步骤包括：a.提供一掺有第一型杂质的硅基底，并且在该硅基底内定义出一沟渠；b.形成一第一氧化层适顺性地覆盖该沟渠的内壁；c.利用光蚀刻工艺以及回蚀刻技术于该沟渠底部填入一定深度的光阻；d.利用液相沉积法形成一第二氧化层适顺性地覆盖该第一氧化层表面；e.去除位在该沟渠底部的该光阻；f.去除该沟渠内未被该第二氧化层所覆盖的第一氧化层，使得该沟渠底部的硅基底侧壁裸露出来；g.形成一掺有第二型杂质的硅玻璃层，适顺性地覆盖于该第二氧化层和该沟渠底部的硅基底侧壁上；h.形成一保护层于该掺有杂质的硅玻璃层上；i.施一退火处理，使得该掺有杂质的硅玻璃层内所含的杂质往该沟渠底部的硅基底侧壁内部扩散驱入，形成一掺杂区，作为埋入式电容器的下电极；以及j.去除该保护层、该硅玻璃层、该第二氧化层和该第一氧化层。