[发明专利]快闪参考存储单元的制造方法无效
| 申请号： | 01110213.6 | 申请日： | 2001-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1378272A | 公开（公告）日： | 2002-11-06 |
| 发明（设计）人： | 陈炳勋;骆冀野 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8239 | 分类号： | H01L21/8239 |
| 代理公司： | 北京集佳专利商标事务所 | 代理人： | 王学强 |
| 地址： | 台湾新竹科*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种快闪参考存储单元的制造方法。形成浮置井区于半导体基底中,形成第一介电层覆盖于半导体基底上,形成已定义的浮栅于对应浮置井区的第一介电层上,形成第二介电层覆盖于半导体基底上,定义第二介电层以形成接触窗并暴露出部分浮栅,进行重离子植入工艺,于暴露出的浮栅中植入离子,形成第三介电层覆盖于半导体基底上并填满接触窗。本发明系在半导体基底中形成有一浮置井区,以做为隔离浮栅与半导体基底的隔离层之用,有效避免后续工序可能造成的接触窗过度蚀刻及/或浮栅对准错误的问题,并透过重离子植入工艺来增加部分浮栅的掺杂量,以降低浮栅接触窗的阻值,有效改善快闪参考存储单元的RC延迟,进而可提升组件的操作速度。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 存储 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种快闪参考存储单元的制造方法，包括：形成一浮置井区于一半导体基底中；形成一第一介电层覆盖于该半导体基底上；形成一已定义的浮栅于对应该浮置井区的该第一介电层上；以及形成一第二介电层覆盖于该半导体基底上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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