[发明专利]具有基底接触的绝缘层上有硅的结构

摘要

本发明公开了一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构,包括一绝缘层上有硅的基底,而基底上具有一绝缘层,绝缘层上具有一硅层,硅层上形成有一栅极,且栅极侧边的硅层中分别形成一源极区与一漏极区,而在绝缘层与硅层的界面提供一基底接触,其中较佳的基底接触系位于源极区与栅极之间的绝缘层中。通过在绝缘层与硅层之间提供基底接触而降低颈结与基底效应等,以改善绝缘层上有硅芯片的组件特性。

主权项

1.一种具有基底接触的绝缘层上有硅的结构，其特征在于包括：一绝缘层上有硅的基底，包括一硅层形成在一绝缘层之上；一栅极，位于该硅层上；一源/漏极区，位于该栅极侧边的该硅层中；一基底接触，位于该绝缘层中，且有部分与该硅层邻接。